JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFS3306PBF N-kanaal Soort behuizing D2PAK I(D) 160 A U(DS) 60 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161097 - 89
Fabrikantnummer: IRFS3306PBF |  EAN: 2050001541505
Afbeelding kan afwijken
€ 4,29
U bespaart € 0,44
€ 3,85
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRFS3306PBF
Behuizingssoort
D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
120 A
UBR DSS
60 V
Ptot
230 W
R(DS)(on)
4.2 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
75 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
150 µA
Q(G)
120 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
4520 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
60 V
Type
IRFS3306PBF
RDS(on)
4.2 mΩ
ID
160 A
Behuizing
D2PAK

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
IRFS3306PBF, transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen