JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFHS8342TR2PBF N-kanaal Soort behuizing PQFN 2x2 I(D) 8.5 A U(DS)

Infineon Technologies
Bestnr.: 161005 - 89
Fabrikantnummer: IRFHS8342TR2PBF |  EAN: 2050001541031
  • Afbeelding kan afwijken
  • Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFHS8342TR2PBF N-kanaal Soort behuizing PQFN 2x2 I(D) 8.5 A U(DS)
€ 0,25
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 0,25 --
770 € 0,23 8% = € 15,40
1.800 € 0,22 12% = € 54,00
3.100 € 0,20 20% = € 155,00
4.800 € 0,18 28% = € 336,00
Op voorraad
  • Type: IRFHS8342TR2PBF
  • Behuizingssoort: PQFN 2x2
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRFHS8342TR2PBF
Behuizingssoort
PQFN 2x2
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
8.8 A
19 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2.1 W
R(DS)(on)
16 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
8.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
25 µA
Q(G)
8.7 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
600 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRFHS8342TR2PBF
ID
8.5 A
UDS
30 V
Behuizing
PQFN 2x2
RDS(on)
16.0 mΩ

Downloads