JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF N-kanaal Soort behuizing PQFN 3.3x3.3 I(D) 24 A U(DS

Infineon Technologies
Bestnr.: 161001 - 89
Fabrikantnummer: IRFHM831TR2PBF |  EAN: 2050001541000
  • Afbeelding kan afwijken
  • Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF N-kanaal Soort behuizing PQFN 3.3x3.3 I(D) 24 A U(DS
€ 1,18
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,18 --
10 € 1,12 5% = € 0,60
100 € 0,96 19% = € 22,00
Op voorraad
  • Type: IRFHM831TR2PBF
  • Behuizingssoort: PQFN 3.3x3.3
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRFHM831TR2PBF
Behuizingssoort
PQFN 3.3x3.3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
14 A
40 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
7.8 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
12 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
25 µA
Q(G)
16 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1050 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRFHM831TR2PBF
ID
24 A
UDS
30 V
Behuizing
PQFN 3.3x3.3
RDS(on)
7.8 mΩ

Downloads