JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF N-kanaal Soort behuizing Small Can I(D) 37 A U(DS) 25 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161254 - 89
Fabrikantnummer: IRF6710S2TR1PBF |  EAN: 2050001542878
Afbeelding kan afwijken
€ 2,05
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRF6710S2TR1PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
12 A
37 A
UBR DSS
25 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
5.9 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
12 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
25 µA
Q(G)
13 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1190 pF
C(ISS) referentiespanning
13 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
25 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRF6710S2TR1PBF
Behuizing
Small Can
ID
37 A
RDS(on)
5.9 mΩ
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
25 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRF6710S2TR1PBF, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen