JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET, P-kanaal Infineon Technologies P-kanaal I(D) -12 A U(DS) -55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162549 - 89
Fabrikantnummer: IRF9Z24NPBF |  EAN: 2050000042089
Afbeelding kan afwijken
€ 0,59
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Power MOSFET, P-kanaal

Productspecificaties

Type
IRF9Z24N
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
12 A
UBR DSS
55 V
Ptot
45 W
R(DS)(on)
175 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
7.2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
19 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
350 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
‑12 A
Beschrijving
‑60 V/‑12 A
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑55 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRF9Z24N, metaal oxide semiconductor, IRF9Z24NPBF, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet