JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET, P-kanaal Infineon Technologies P-kanaal I(D) -12 A U(DS) -55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162549 - 89
Fabrikantnummer: IRF9Z24NPBF |  EAN: 2050000042089
Afbeelding kan afwijken

Er is een fout opgetreden.

De opdracht kon niet goed worden verwerkt. Probeer het nog een keer en neem, als het dan nog niet lukt, contact op met contact@conrad.nl

Power MOSFET, P-kanaal

Productspecificaties

Type
IRF9Z24NPBF
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
12 A
UBR DSS
55 V
Ptot
45 W
R(DS)(on)
175 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
7.2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
19 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
350 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑55 V
Beschrijving
‑60 V/‑12 A
ID
‑12 A

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, IRF9Z24NPBF, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor