JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET, N-kanaal Infineon Technologies N-kanaal U(DS) 200 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 153568 - 89
Fabrikantnummer: BUZ30A |  EAN: 2050000023552
Afbeelding kan afwijken
€ 2,64
U bespaart € 0,42
€ 2,22
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Power MOSFET, N-kanaal

Productspecificaties

Type
BUZ30A
Behuizingssoort
TO‑220‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
21 A
UBR DSS
200 V
Ptot
125 W
R(DS)(on)
130 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
13.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
1 mA
C(ISS)
1900 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
SIPMOS®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
200 V

Download

Specificaties

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten en kunnen rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, BUZ30A, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor