JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET, N-kanaal Infineon Technologies N-kanaal I(D) 16 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162679 - 89
Fabrikantnummer: IRFR024N |  EAN: 2050000043239
Power MOSFET, N-kanaal Infineon Technologies N-kanaal I(D) 16 A U(DS) 55 V
€ 1,01
Je bespaart € 0,63
€ 0,38
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Power MOSFET, N-kanaal

Productspecificaties

Type
IRFR024N HEXFET D‑PAK
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
17 A
UBR DSS
55 V
Ptot
45 W
R(DS)(on)
75 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
10 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
20 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
370 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
16 A
Beschrijving
60 V/16 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
IRFR024N, transistor MOS, IRFR024N HEXFET D-PAK, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen