JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET, N-kanaal Infineon Technologies HEXFET U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162869 - 89
Fabrikantnummer: IRLZ24NPBF |  EAN: 2050000044731
Afbeelding kan afwijken
€ 0,53
Je bespaart € 0,10
€ 0,43
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Power MOSFET, N-kanaal

Productspecificaties

Type
IRLZ24NPBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
HEXFET
I(d)
18 A
UBR DSS
55 V
Ptot
45 W
R(DS)(on)
60 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
11 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
15 C
Q(G) referentiespanning
5 V
C(ISS)
480 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Beschrijving
55 V/18 A
Uitvoering
HEXFET
UDS
55 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. 1 = RDS (on) / R bij IC (A) en UCE (V) ² = Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRLZ24NPBF, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten