JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET Infineon Technologies P-kanaal I(D) -19 A U(DS) -55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162551 - 89
Fabrikantnummer: IRF9Z34N |  EAN: 2050000042102
Afbeelding kan afwijken
€ 0,85
U bespaart € 0,02
€ 0,83
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Power MOSFET

Productspecificaties

Type
IRF9Z34N
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
19 A
UBR DSS
55 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
10 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
35 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
620 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑55 V
Beschrijving
‑60 V/‑19 A
ID
‑19 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, IRF9Z34N, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor