JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET Infineon Technologies P-kanaal I(D) -14 A U(DS) -100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162536 - 89
Fabrikantnummer: IRF9530NPBF |  EAN: 2050000041969
Afbeelding kan afwijken
€ 0,55
Je bespaart € 0,04
€ 0,51
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Power MOSFET

Productspecificaties

Type
IRF9530N
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
14 A
UBR DSS
100 V
Ptot
79 W
R(DS)(on)
200 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
8.4 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
58 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
760 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
‑14 A
Beschrijving
‑100 V/‑12 A
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑100 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
IRF9530N, transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRF9530NPBF, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet