JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

NXP Semiconductors MJE 13009 Transistor (BJT) - discreet TO-220AB 1 NPN

NXP Semiconductors
Bestnr.: 150857 - 89
Fabrikantnummer: PHE13009,127 |  EAN: 2050000011658
Afbeelding kan afwijken
€ 1,71
U bespaart € 0,88
€ 0,83
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Vermogensschakeltransistor

Productspecificaties

Type
MJE 13009
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
NXP Semiconductors
NXP
Categorie
Transistor (BJT) ‑ discreet
Kanalen
1
Uitvoering
NPN
IC
12 A
Collector-emitterspanning U(ceo)
400 V
VCE verzadiging (max.)
2 V
Collector reststroom I(ces)
100 µA
Ptot
80 W
DC stroomversterking (hFE)
8
DC stroomversterking hFE - referentiestroom
5 A
DC stroomversterking hFE - referentiespanning
5 V
Montagewijze
Doorvoergat
Uitvoering
NPN
Type
MJE 13009

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
MJE 13009, silicium-transistor, tran-sistor, Transistor driver ic, Transistor, Germanium-transistor, NXP Semiconductors, PHE13009, NPN, El transistor, Isolated gate bipolaire transistor, IGBT, PNP, 127, Seleen-transistor, Darlington-transistor, Transfer resistor, Bipolaire transistor, bipolair-transisrtor