JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET's NXP Semiconductors N-Channel U(DS) 60 V

NXP Semiconductors
Bestnr.: 151006 - 89
Fabrikantnummer: 2N7002GEG-HSMD |  EAN: 2050000012402
Afbeelding kan afwijken
€ 0,20
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET's

Productspecificaties

Type
2 N 7002 GEG HSMD
Behuizingssoort
SOT‑223
Fabrikant
NXP Semiconductors
NXP
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
300 mA
UBR DSS
60 V
Ptot
0.83 W
R(DS)(on)
5 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
500 mA
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
1 mA
C(ISS)
40 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑65 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
RDS(on)
(bij 500 mA) 5 Ω
Uitvoering
N‑Channel
UDS
60 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, NXP Semiconductors, 2N7002GEG-HSMD, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, 2 N 7002 GEG HSMD, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen