JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SQM120N04-1M7L-GE3 Soort behuizing TO-263-3

Vishay
Bestnr.: 598546 - 89
Fabrikantnummer: SQM120N04-1M7L-GE3 |  EAN: 2050003224680
Afbeelding kan afwijken
€ 5,15
Je bespaart € 0,58
€ 4,57
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
SQM120N04‑1M7L‑GE3
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
UBR DSS
40 V
Ptot
375 W
R(DS)(on)
1.7 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
30 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
285 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
14606 pF
C(ISS) referentiespanning
20 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
40 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SQM120N04‑1M7L‑GE3
Behuizing
TO‑263‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, SQM120N04-1M7L-GE3, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, SQM120N04-1M7L-GE3-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen