JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIHG30N60E-E3 Soort behuizing TO-247AC

Vishay
Bestnr.: 598425 - 89
Fabrikantnummer: SIHG30N60E-E3 |  EAN: 2050003224529
Afbeelding kan afwijken
€ 12,23
Je bespaart € 1,69
€ 10,54
incl. btw, excl. verzendkosten
Uitverkocht, uit ons assortiment

MOSFET

Productspecificaties

Type
SIHG30N60E‑E3
Behuizingssoort
TO‑247AC
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
29 A
UBR DSS
600 V
Ptot
250 W
R(DS)(on)
125 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
15 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
130 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2600 pF
C(ISS) referentiespanning
100 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SIHG30N60E‑E3
Behuizing
TO‑247AC

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, SIHG30N60E-E3-ND, SIHG30N60E-E3, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen