JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIHG20N50C-E3 Soort behuizing TO-247

Vishay
Bestnr.: 598347 - 89
Fabrikantnummer: SIHG20N50C-E3 |  EAN: 2050003224499
Afbeelding kan afwijken
€ 3,99
Je bespaart € 0,04
€ 3,95
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SIHG20N50C‑E3
Behuizingssoort
TO‑247
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
20 A
UBR DSS
500 V
Ptot
250 W
R(DS)(on)
270 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
10 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
76 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2942 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
500 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SIHG20N50C‑E3
Behuizing
TO‑247

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, SIHG20N50C-E3, Feldeffect-transistor, SIHG20N50C-E3-ND, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen