JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIHB30N60E-GE3 1 N-kanaal 250 W TO-263-3

Vishay
Bestnr.: 598179 - 89
Fabrikantnummer: SIHB30N60E-GE3 |  EAN: 2050003224420
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SIHB30N60E-GE3 1 N-kanaal 250 W TO-263-3
€ 8,54
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 8,54 --
70 € 8,36 2% = € 12,60
150 € 8,11 5% = € 64,50
Leverbaar in ca. 3 weken
  • Type: SIHB30N60E-GE3
  • Behuizingssoort: TO-263-3
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SIHB30N60E-GE3
Behuizingssoort
TO-263-3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
29 A
UBR DSS
600 V
Ptot
250 W
R(DS)(on)
125 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
15 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
130 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2600 pF
C(ISS) referentiespanning
100 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven