JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIHB12N60E-GE3 Soort behuizing TO-263-3

Vishay
Bestnr.: 598159 - 89
Fabrikantnummer: SIHB12N60E-GE3 |  EAN: 2050003224390
Afbeelding kan afwijken
€ 3,08
Je bespaart € 0,17
€ 2,91
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SIHB12N60E‑GE3
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
12 A
UBR DSS
600 V
Ptot
147 W
R(DS)(on)
380 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
6 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
58 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
937 pF
C(ISS) referentiespanning
100 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SIHB12N60E‑GE3
Behuizing
TO‑263‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, SIHB12N60E-GE3-ND, SIHB12N60E-GE3, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen