JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIHB12N60E-GE3 Soort behuizing TO-263-3

Vishay
Bestnr.: 598159 - 89
Fabrikantnummer: SIHB12N60E-GE3 |  EAN: 2050003224390
Afbeelding kan afwijken
MOSFET Vishay SIHB12N60E-GE3 Soort behuizing TO-263-3
€ 2,94
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SIHB12N60E-GE3
Behuizingssoort
TO-263-3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
12 A
UBR DSS
600 V
Ptot
147 W
R(DS)(on)
380 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
6 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
58 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
937 pF
C(ISS) referentiespanning
100 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SIHB12N60E-GE3
Behuizing
TO-263-3

Downloads

Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen