JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIA429DJT-T1-GE3 Soort behuizing SC-70-6

Vishay
Bestnr.: 598156 - 89
Fabrikantnummer: SIA429DJT-T1-GE3 |  EAN: 2050003224383
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SIA429DJT-T1-GE3 Soort behuizing SC-70-6
€ 0,94
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 0,94 --
600 € 0,92 2% = € 12,00
1.500 € 0,89 5% = € 75,00
Leverbaar in ca. 3 weken
  • Type: SIA429DJT-T1-GE3
  • Behuizingssoort: SC-70-6
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: P-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SIA429DJT-T1-GE3
Behuizingssoort
SC-70-6
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P-kanaal
I(d)
12 A
UBR DSS
20 V
Ptot
19 W
R(DS)(on)
20.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
6 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
62 C
Q(G) referentiespanning
8 V
C(ISS)
1750 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SIA429DJT-T1-GE3
Behuizing
SC-70-6

Downloads

Vergelijkbare producten