JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3 Soort behuizing SC-70-6

Vishay
Bestnr.: 598153 - 89
Fabrikantnummer: SIA416DJ-T1-GE3 |  EAN: 2050003224376
Afbeelding kan afwijken
€ 1,06
Je bespaart € 0,17
€ 0,89
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
SIA416DJ‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SC‑70‑6
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
11.3 A
UBR DSS
100 V
Ptot
19 W
R(DS)(on)
83 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
3.2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
10 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
295 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SIA416DJ‑T1‑GE3
Behuizing
SC‑70‑6

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, SIA416DJ-T1-GE3CT-ND, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, SIA416DJ-T1-GE3, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen