JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3 1 N-kanaal 19 W SC-70-6

Vishay
Bestnr.: 598153 - 89
Fabrikantnummer: SIA416DJ-T1-GE3 |  EAN: 2050003224376
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3 1 N-kanaal 19 W SC-70-6
€ 1,01
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,01 --
600 € 0,98 3% = € 18,00
1.500 € 0,95 6% = € 90,00
Leverbaar in ca. 3 weken
  • Type: SIA416DJ-T1-GE3
  • Behuizingssoort: SC-70-6
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SIA416DJ-T1-GE3
Behuizingssoort
SC-70-6
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
11.3 A
UBR DSS
100 V
Ptot
19 W
R(DS)(on)
83 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
3.2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
10 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
295 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven