JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3 Soort behuizing SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 598152 - 89
Fabrikantnummer: SI9933CDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003224369
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3 Soort behuizing SOIC-8
€ 1,35
(U bespaart € 0,51)
€ 0,84
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 0,84 --
700 € 0,82 2% = € 14,00
1.500 € 0,79 6% = € 75,00
Op voorraad
  • Type: SI9933CDY-T1-GE3
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: P-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI9933CDY-T1-GE3
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P-kanaal
I(d)
4 A
UBR DSS
20 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
58 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4.8 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
26 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
665 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-50 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2
Type
SI9933CDY-T1-GE3
Behuizing
SOIC-8

Downloads

Vergelijkbare producten