JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3 Soort behuizing SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 598152 - 89
Fabrikantnummer: SI9933CDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003224369
Afbeelding kan afwijken
€ 1,35
Je bespaart € 0,53
€ 0,82
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI9933CDY‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
4 A
UBR DSS
20 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
58 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4.8 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
26 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
665 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑50 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2
Type
SI9933CDY‑T1‑GE3
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, SI9933CDY-T1-GE3CT-ND, Feldeffect-transistor, SI9933CDY-T1-GE3, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen