JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI8489EDB-T2-E1 Soort behuizing MICROFOOT-4

Vishay
Bestnr.: 597506 - 89
Fabrikantnummer: SI8489EDB-T2-E1 |  EAN: 2050003224321
Afbeelding kan afwijken
€ 0,67
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI8489EDB‑T2‑E1
Behuizingssoort
MICROFOOT‑4
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
UBR DSS
20 V
Ptot
780 mW
R(DS)(on)
44 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1.2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
27 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
765 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI8489EDB‑T2‑E1
Behuizing
MICROFOOT‑4

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, SI8489EDB-T2-E1CT-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, SI8489EDB-T2-E1, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen