JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 Soort behuizing PowerPAK-1212-8

Vishay
Bestnr.: 597426 - 89
Fabrikantnummer: SI7900AEDN-T1-GE3 |  EAN: 2050003224284
Afbeelding kan afwijken
€ 1,85
Je bespaart € 0,32
€ 1,53
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI7900AEDN‑T1‑GE3
Behuizingssoort
PowerPAK‑1212‑8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
6 A
UBR DSS
20 V
Ptot
1.5 W
R(DS)(on)
26 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
8.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.9 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
16 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2
Type
SI7900AEDN‑T1‑GE3
Behuizing
PowerPAK‑1212‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, SI7900AEDN-T1-GE3, field-effect transistor, SI7900AEDN-T1-GE3CT-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen