JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4936BDY-T1-E3 Soort behuizing SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 597345 - 89
Fabrikantnummer: SI4936BDY-T1-E3 |  EAN: 2050003224079
Afbeelding kan afwijken
€ 1,78
Je bespaart € 0,51
€ 1,27
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4936BDY‑T1‑E3
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
6.9 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2.8 W
R(DS)(on)
35 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.9 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
15 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
530 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2
Type
SI4936BDY‑T1‑E3
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
SI4936BDY-T1-E3, transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, SI4936BDY-T1-E3CT-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen