JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4925BDY-T1-E3 Soort behuizing SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 597343 - 89
Fabrikantnummer: SI4925BDY-T1-E3 |  EAN: 2050003224055
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SI4925BDY-T1-E3 Soort behuizing SOIC-8
€ 1,47
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,47 --
400 € 1,44 2% = € 12,00
900 € 1,39 5% = € 72,00
Op voorraad
  • Type: SI4925BDY-T1-E3
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: P-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4925BDY-T1-E3
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P-kanaal
I(d)
5.3 A
UBR DSS
30 V
Ptot
1.1 W
R(DS)(on)
25 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
7.1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
50 C
Q(G) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2
Type
SI4925BDY-T1-E3
Behuizing
SOIC-8

Downloads

Vergelijkbare producten