JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4900DY-T1-E3 Soort behuizing SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 597342 - 89
Fabrikantnummer: SI4900DY-T1-E3 |  EAN: 2050003224048
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SI4900DY-T1-E3 Soort behuizing SOIC-8
€ 1,66
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,66 --
400 € 1,62 2% = € 16,00
800 € 1,57 5% = € 72,00
Op voorraad
  • Type: SI4900DY-T1-E3
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4900DY-T1-E3
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
5.3 A
UBR DSS
60 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
58 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4.3 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
20 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
665 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2
Type
SI4900DY-T1-E3
Behuizing
SOIC-8

Downloads

Vergelijkbare producten