JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4800BDY-T1-E3 Soort behuizing SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 597336 - 89
Fabrikantnummer: SI4800BDY-T1-E3 |  EAN: 2050003223980
Afbeelding kan afwijken
€ 1,07
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4800BDY‑T1‑E3
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
6.5 A
UBR DSS
30 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
18.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
9 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1.8 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
13 C
Q(G) referentiespanning
5 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI4800BDY‑T1‑E3
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, SI4800BDY-T1-E3CT-ND, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, SI4800BDY-T1-E3, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen