JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3 Soort behuizing SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 597332 - 89
Fabrikantnummer: SI4435DDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223942
Afbeelding kan afwijken
€ 1,00
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4435DDY‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
11.4 A
UBR DSS
30 V
Ptot
5 W
R(DS)(on)
24 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
9.1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
50 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1350 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI4435DDY‑T1‑GE3
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
SI4435DDY-T1-GE3CT-ND, transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, SI4435DDY-T1-GE3, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen