JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3 1 P-kanaal 5 W SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 597332 - 89
Fabrikantnummer: SI4435DDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223942
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3 1 P-kanaal 5 W SOIC-8
€ 1,02
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,02 --
600 € 0,99 3% = € 18,00
1.250 € 0,96 6% = € 75,00
Leverbaar in ca. 3 weken
  • Type: SI4435DDY-T1-GE3
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: P-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4435DDY-T1-GE3
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P-kanaal
I(d)
11.4 A
UBR DSS
30 V
Ptot
5 W
R(DS)(on)
24 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
9.1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
50 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1350 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven