JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3 1 N-kanaal 5 W SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 597325 - 89
Fabrikantnummer: SI4162DY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223874
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3 1 N-kanaal 5 W SOIC-8
€ 1,23
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,23 --
450 € 1,20 2% = € 13,50
1.000 € 1,16 6% = € 70,00
Leverbaar in ca. 11 weken
  • Type: SI4162DY-T1-GE3
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4162DY-T1-GE3
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
19.3 A
UBR DSS
30 V
Ptot
5 W
R(DS)(on)
7.9 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
20 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
30 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1155 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven