JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4102DY-T1-GE3 1 N-kanaal 4.8 W SOIC-8

Vishay
Bestnr.: 597321 - 89
Fabrikantnummer: SI4102DY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223836
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Vishay SI4102DY-T1-GE3 1 N-kanaal 4.8 W SOIC-8
€ 1,43
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,43 --
400 € 1,40 2% = € 12,00
900 € 1,35 6% = € 72,00
Leverbaar in ca. 3 weken
  • Type: SI4102DY-T1-GE3
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Vishay
  • Fabrikantcode: VIS
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4102DY-T1-GE3
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
3.8 A
UBR DSS
100 V
Ptot
4.8 W
R(DS)(on)
158 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
2.7 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
11 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
370 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven