JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI3460BDV-T1-E3 Soort behuizing TSOP-6

Vishay
Bestnr.: 597319 - 89
Fabrikantnummer: SI3460BDV-T1-E3 |  EAN: 2050003223812
Afbeelding kan afwijken
€ 1,27
Je bespaart € 0,20
€ 1,07
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI3460BDV‑T1‑E3
Behuizingssoort
TSOP‑6
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
8 A
UBR DSS
20 V
Ptot
3.5 W
R(DS)(on)
27 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.1 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
24 C
Q(G) referentiespanning
8 V
C(ISS)
860 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI3460BDV‑T1‑E3
Behuizing
TSOP‑6

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, SI3460BDV-T1-E3CT-ND, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, SI3460BDV-T1-E3, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen