JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-GE3 Soort behuizing SOT-23

Vishay
Bestnr.: 597310 - 89
Fabrikantnummer: SI2333CDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223744
Afbeelding kan afwijken
€ 0,95
Je bespaart € 0,12
€ 0,83
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI2333CDS‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SOT‑223
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
7.1 A
UBR DSS
12 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
35 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.1 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
25 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1225 pF
C(ISS) referentiespanning
6 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
12 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI2333CDS‑T1‑GE3
Behuizing
SOT‑23

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, SI2333CDS-T1-GE3, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, SI2333CDS-T1-GE3CT-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen