JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2325DS-T1-E3 Soort behuizing SOT-23-3

Vishay
Bestnr.: 597308 - 89
Fabrikantnummer: SI2325DS-T1-E3 |  EAN: 2050003223720
Afbeelding kan afwijken
€ 1,52
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI2325DS‑T1‑E3
Behuizingssoort
SOT‑23‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
530 mA
UBR DSS
150 V
Ptot
750 mW
R(DS)(on)
1.2 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
500 mA
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
12 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
510 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
150 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI2325DS‑T1‑E3
Behuizing
SOT‑23‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, drain, FET, Feldeffect-transistor, SI2325DS-T1-E3, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, Vishay, SI2325DS-T1-E3CT-ND, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen