JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2319DS-T1-E3 Soort behuizing SOT-23-3

Vishay
Bestnr.: 597305 - 89
Fabrikantnummer: SI2319DS-T1-E3 |  EAN: 2050003223706
Afbeelding kan afwijken
€ 1,01
U bespaart € 0,04
€ 0,97
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI2319DS‑T1‑E3
Behuizingssoort
SOT‑23‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
2.3 A
UBR DSS
40 V
Ptot
750 mW
R(DS)(on)
82 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
3 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
17 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
470 pF
C(ISS) referentiespanning
20 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
40 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI2319DS‑T1‑E3
Behuizing
SOT‑23‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, drain, SI2319DS-T1-E3CT-ND, FET, SI2319DS-T1-E3, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, Vishay, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen