JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2312BDS-T1-GE3 Soort behuizing SOT-23-3

Vishay
Bestnr.: 597303 - 89
Fabrikantnummer: SI2312BDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223683
Afbeelding kan afwijken
€ 0,74
Je bespaart € 0,08
€ 0,66
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI2312BDS‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SOT‑23‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
3.9 A
UBR DSS
20 V
Ptot
750 mW
R(DS)(on)
31 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.85 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
12 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI2312BDS‑T1‑GE3
Behuizing
SOT‑23‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, SI2312BDS-T1-GE3, SI2312BDS-T1-GE3CT-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen