JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2309CDS-T1-GE3 Soort behuizing SOT-23-3

Vishay
Bestnr.: 597301 - 89
Fabrikantnummer: SI2309CDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223676
Afbeelding kan afwijken
€ 0,89
Je bespaart € 0,10
€ 0,79
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI2309CDS‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SOT‑23‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
1.6 A
UBR DSS
60 V
Ptot
1.7 W
R(DS)(on)
345 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1.25 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
4.1 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
210 pF
C(ISS) referentiespanning
30 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI2309CDS‑T1‑GE3
Behuizing
SOT‑23‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, SI2309CDS-T1-GE3, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, SI2309CDS-T1-GE3CT-ND, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen