JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2305CDS-T1-GE3 Soort behuizing SOT-23-3

Vishay
Bestnr.: 597297 - 89
Fabrikantnummer: SI2305CDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223638
Afbeelding kan afwijken
€ 0,83
Je bespaart € 0,17
€ 0,66
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI2305CDS‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SOT‑23‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
5.8 A
UBR DSS
8 V
Ptot
1.7 W
R(DS)(on)
35 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4.4 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
30 C
Q(G) referentiespanning
8 V
C(ISS)
960 pF
C(ISS) referentiespanning
4 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
8 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI2305CDS‑T1‑GE3
Behuizing
SOT‑23‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, SI2305CDS-T1-GE3, SI2305CDS-T1-GE3CT-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen