JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 Soort behuizing SOT-23-3

Vishay
Bestnr.: 597295 - 89
Fabrikantnummer: SI2303CDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223614
Afbeelding kan afwijken
€ 1,03
U bespaart € 0,18
€ 0,85
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 12-13 dagen

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI2303CDS‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SOT‑23‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
2.7 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2.3 W
R(DS)(on)
190 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1.9 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
8 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
155 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI2303CDS‑T1‑GE3
Behuizing
SOT‑23‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, drain, SI2303CDS-T1-GE3CT-ND, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, Vishay, metaal oxide semiconductor, SI2303CDS-T1-GE3
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen