JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay N-kanaal I(D) 3.1 A U(DS) 1000 V

Vishay
Bestnr.: 162578 - 89
Fabrikantnummer: IRFBG30PBF |  EAN: 2050000042362
Afbeelding kan afwijken
€ 2,52
Je bespaart € 1,44
€ 1,08
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFBG30PBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
3.1 A
UBR DSS
1000 V
Ptot
125 W
R(DS)(on)
5 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
1.9 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
80 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
980 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
1000 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
3.1 A
Beschrijving
1000 V/3.1 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
1000 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRFBG30PBF, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten