JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay IRLD120PBF Soort behuizing DIP-4

Vishay
Bestnr.: 597278 - 89
Fabrikantnummer: IRLD120PBF |  EAN: 2050003223478
Afbeelding kan afwijken
€ 2,70
Je bespaart € 0,47
€ 2,23
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRLD120PBF
Behuizingssoort
DIP‑4
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
1.3 A
UBR DSS
100 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
270 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
780 mA
R(DS)(on) referentiespanning
5 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
12 C
Q(G) referentiespanning
5 V
C(ISS)
490 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRLD120PBF
Behuizing
DIP‑4

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRLD120PBF, metaal oxide semiconductor, IRLD120PBF-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen