JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay IRFDC20PBF Soort behuizing DIP-4

Vishay
Bestnr.: 597169 - 89
Fabrikantnummer: IRFDC20PBF |  EAN: 2050003222532
Afbeelding kan afwijken
€ 3,36
Je bespaart € 0,07
€ 3,29
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFDC20PBF
Behuizingssoort
DIP‑4
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
320 mA
UBR DSS
600 V
Ptot
1 W
R(DS)(on)
4.4 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
190 mA
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
18 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
350 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFDC20PBF
Behuizing
DIP‑4

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, IRFDC20PBF-ND, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRFDC20PBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen