JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay IRFBE30SPBF Soort behuizing TO-263-3

Vishay
Bestnr.: 597165 - 89
Fabrikantnummer: IRFBE30SPBF |  EAN: 2050003222495
Afbeelding kan afwijken
€ 5,45
Je bespaart € 0,75
€ 4,70
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFBE30SPBF
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
4.1 A
UBR DSS
800 V
Ptot
125 W
R(DS)(on)
3 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
2.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
78 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1300 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
800 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFBE30SPBF
Behuizing
TO‑263‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRFBE30SPBF-ND, IRFBE30SPBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen