JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET STMicroelectronics STU7N60M2 Soort behuizing TO-251-3

STMicroelectronics
Bestnr.: 564762 - 89
Fabrikantnummer: STU7N60M2 |  EAN: 2050003210133
Afbeelding kan afwijken
€ 2,07
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
STU7N60M2
Fabrikant
STMicroelectronics
STM
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
5 A
UBR DSS
600 V
Ptot
60 W
R(DS)(on)
950 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
2.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
8.8 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
271 pF
C(ISS) referentiespanning
100 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
MDmesh™ II Plus
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
STU7N60M2
Behuizing
TO‑251‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, STU7N60M2, STMicroelectronics, 497-13979-5-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen