JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET STMicroelectronics STU6N60M2 Soort behuizing TO-251-3

STMicroelectronics
Bestnr.: 564761 - 89
Fabrikantnummer: STU6N60M2 |  EAN: 2050003210126
Afbeelding kan afwijken
€ 1,93
Je bespaart € 0,02
€ 1,91
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
STU6N60M2
Fabrikant
STMicroelectronics
STM
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
4.5 A
UBR DSS
600 V
Ptot
60 W
R(DS)(on)
1.2 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
2.25 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
13.5 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
232 pF
C(ISS) referentiespanning
100 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
MDmesh™ II Plus
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
STU6N60M2
Behuizing
TO‑251‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, 497-13978-5-ND, FET, gate, STU6N60M2, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, STMicroelectronics, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen