JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXTP36N30P Soort behuizing TO-220

IXYS
Bestnr.: 564318 - 89
Fabrikantnummer: IXTP36N30P |  EAN: 2050003205931
Afbeelding kan afwijken
€ 8,23
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXTP36N30P
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
36 A
UBR DSS
300 V
Ptot
300 W
R(DS)(on)
110 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
18 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
70 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2250 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
PolarHT™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
300 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXTP36N30P
Behuizing
TO‑220

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
IXTP36N30P, transistor MOS, IXYS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IXTP36N30P-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen