JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFT18N100Q3 Soort behuizing TO-268

IXYS
Bestnr.: 564307 - 89
Fabrikantnummer: IXFT18N100Q3 |  EAN: 2050003205832
Afbeelding kan afwijken
€ 23,82
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFT18N100Q3
Behuizingssoort
TO‑268
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
18 A
UBR DSS
1000 V
Ptot
830 W
R(DS)(on)
660 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
9 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
6.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
4 mA
Q(G)
90 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
4890 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
1000 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFT18N100Q3
Behuizing
TO‑268

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IXFT18N100Q3-ND, IXYS, Feldeffect-transistor, IXFT18N100Q3, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen