JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFR80N50Q3 Soort behuizing ISOPLUS-247

IXYS
Bestnr.: 564306 - 89
Fabrikantnummer: IXFR80N50Q3 |  EAN: 2050003205825
Afbeelding kan afwijken
€ 37,11
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFR80N50Q3
Behuizingssoort
ISOPLUS‑247
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
50 A
UBR DSS
500 V
Ptot
570 W
R(DS)(on)
72 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
40 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
6.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
8 mA
Q(G)
200 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
10000 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
500 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFR80N50Q3
Behuizing
ISOPLUS‑247

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
IXFR80N50Q3-ND, transistor MOS, IXYS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IXFR80N50Q3, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen