JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFQ60N50P3 Soort behuizing TO-3P

IXYS
Bestnr.: 564304 - 89
Fabrikantnummer: IXFQ60N50P3 |  EAN: 2050003205801
Afbeelding kan afwijken
€ 8,58
Je bespaart € 0,79
€ 7,79
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFQ60N50P3
Behuizingssoort
TO‑3P
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
60 A
UBR DSS
500 V
Ptot
1040 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
30 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
4 mA
Q(G)
96 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
6250 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
Polar3™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
500 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFQ60N50P3
Behuizing
TO‑3P

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IXYS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IXFQ60N50P3-ND, IXFQ60N50P3, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen