JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFQ50N60P3 Soort behuizing TO-3P

IXYS
Bestnr.: 564303 - 89
Fabrikantnummer: IXFQ50N60P3 |  EAN: 2050003205795
Afbeelding kan afwijken
€ 11,36
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFQ50N60P3
Behuizingssoort
TO‑3P
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
50 A
UBR DSS
600 V
Ptot
1040 W
R(DS)(on)
145 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
500 mA
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
4 mA
Q(G)
94 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
6300 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
Polar3™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFQ50N60P3
Behuizing
TO‑3P

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IXYS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, IXFQ50N60P3-ND, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IXFQ50N60P3, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen